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韶關(guān)電銷卡不封號(hào)

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國內(nèi)的發(fā)展現(xiàn)狀

  集成度增加,集成電路芯片上的連線數(shù)目急劇上升,國內(nèi)采用多層金屬布線解決金屬化中遇到的困難。用兩層金屬布線可完成特征尺寸為10μm以上的集成電路,0.35μm需要4~5層,總連線長度可達(dá)到380m;0.13μm需要6~7層,總長度約為4km,予計(jì)到0.07μm需要10層,總長達(dá)到10km。采用多層金屬互連可以顯著縮短器件之間的連線密度,減小RC時(shí)間常數(shù)和縮小芯片,使速度、集成度和可靠性都得到提高。

  用RLC模型來估計(jì)互連線間耦合電容及對(duì)其結(jié)果地一些模擬,基于分析得出地結(jié)論,研究一些算法,在一定的串?dāng)_約束下調(diào)整布線。

  國內(nèi)認(rèn)為金屬互連線的電阻、金屬互連線間及金屬層間的電容是互連線主要的寄生元件,它直接決定著互連線的RC延遲,關(guān)聯(lián)著信號(hào)的串?dāng)_。降低互連線的電阻和線間及層間的總電容將減小互連線引起的時(shí)間延遲并改善串?dāng)_。低介電常數(shù)替代傳統(tǒng)的二氧化硅,以及互連線和電介質(zhì)材料的幾何結(jié)構(gòu)最優(yōu)化是降低互連線寄生電容的兩個(gè)主要措施。用低電阻率金屬材料銅替代傳統(tǒng)的鋁作為互連線材料是降低互連線電阻的主要措施。

  1.1.2 立題的目的與意義
  學(xué)習(xí)并掌握深亞微米IC設(shè)計(jì)信號(hào)完整性問題的有關(guān)知識(shí),找出影響信號(hào)完整性的因素,并研究其影響信號(hào)完整性的機(jī)理,對(duì)其提出一些解決方法,指導(dǎo)深亞微米IC設(shè)計(jì),從而減少信號(hào)完整性對(duì)深亞微米IC設(shè)計(jì)的影響。

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